特許
J-GLOBAL ID：200903045411378895

光検出装置の製造方法

発明者：
望月 千織

望月 千織 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-294949
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144900
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 光電変換素子とTFTとを同一基板上に有する光検出装置において、同一プロセスで、アライメントずれがなく、特性が安定する製造方法を得る。【解決手段】 絶縁基板上に、第1の電極層、絶縁層、光電変換半導体層、該半導体層へのキャリア注入阻止層、第2の電極層とから構成されるMIS型光電変換素子と、第1の電極層、絶縁層、半導体層、該半導体層へのオーミックコンタクト層、第2の電極層とから構成されるTFTと、を有し、前記TFTのソース・ドレイン電極27の形成と、チャネル部の少なくともオーミックコンタクト層26の除去とを、同一のマスクで行なう工程(d)と、他のマスクにより上記光電変換素子の上部電極28を形成する工程(e)と、を有することを特徴とする光検出装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
上部電極を有する光電変換素子と、ソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジスタを、同一基板上に一体的に形成する光検出装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の形成と、チャネル部の少なくともオーミックコンタクト層の除去とを、同一のマスクで行なう工程と、他のマスクにより、上記光電変換素子の上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする光検出装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L 27/14 C ,  H04N 5/335 W ,  H01L 29/78 613 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 光電変換装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355327   出願人：キヤノン株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-244167   出願人：富士ゼロツクス株式会社
  • 特開昭59-211262

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