特許
J-GLOBAL ID：200903045417541968
MOS型半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236147
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064362
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 Vthの制御性と絶縁耐性を兼ね備るたゲート絶縁膜を形成したMOS型半導体装置および、その製造方法を提供する。【解決手段】 P型シリコン基板1上に形成したゲート酸化膜(ゲート絶縁膜)2、フィールド酸化膜3の全面にポリシリコン膜を積層した後、熱拡散法によりリンをポリシリコン中に拡散させて低抵抗化させた。フォトリソグラフィーおよびエッチングによりポリシリコン4(ゲート電極)およびフォトレジスト5をパターニングした。フォトレジスト5を除去した後、窒素イオン6を回転斜め注入法によりイオン注入した後、熱処理を施すことにより、ゲート酸化膜2のうちポリシリコン4の端部直下部分からフィールド酸化膜3の直近部分までを窒化酸化膜7に変えた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1導電型半導体からなるドレイン領域およびソース領域と、これらの領域間にチャネル領域と、このチャネル領域の表面にゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上にゲート電極とを有するMOS型半導体装置において、ゲート絶縁膜のうちゲート電極端部直下の部分に含まれる窒素原子濃度が、ゲート絶縁膜のうちゲート電極中央部直下の部分に含まれる窒素原子濃度に比べて高いことを特徴とするMOS型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/318
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 C
, H01L 29/78 301 P
