特許

J-GLOBAL ID：200903045439476892

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 萩原 琢也
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076331
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159264
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 微細パターンの形成においても、正確なパターンを形成する。【解決手段】 パターン形成方法において、被加工膜上に、第1のマスクと第2のマスクとからなる2層のマスクを形成し、この2層のマスクをマスクとして被加工膜をエッチングしてパターンを形成する。ここで、2層のマスクのうち、少なくとも、第2のマスクは、被加工膜に実際に形成する開口よりも大きな開口を有する。更に、第1のマスク及び第2のマスクは、両者を組み合わせることにより、被加工膜の開口を形成する位置においてのみ開口するようにする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

被加工膜上に、第1のマスクと第2のマスクとからなる2層のマスクを形成するマスク形成工程と、 前記2層のマスクをマスクとして前記被加工膜をエッチングするエッチング工程と、 を備え、 少なくとも、前記第2のマスクは、前記被加工膜に形成する開口よりも大きな開口を含み、かつ、 前記第1のマスク及び前記第2のマスクは、組み合わせることにより、前記被加工膜の開口を形成する位置においてのみ開口することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (11件)：

H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

FI (12件)：

H01L21/302 105A ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/28 D ,  H01L21/28 L ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 D ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301G

Fターム (100件)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA07 ,  2H096HA18 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA17 ,  2H096LA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  5F004AA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA01 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN34 ,  5F033PP12 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F046AA13 ,  5F046BA03 ,  5F046PA01 ,  5F140AA39 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG01 ,  5F140BG08 ,  5F140BG24 ,  5F140BG28 ,  5F140BG36 ,  5F140BG39 ,  5F140BG40 ,  5F140BG45 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CC03 ,  5F140CC13 ,  5F140CE07 ,  5F140CE13 ,  5F140CE14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の微細パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283356   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-205917
  
• エツチングマスクの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270039   出願人：ソニー株式会社