特許
J-GLOBAL ID：200903045443848052

半導体装置およびその製造方法

発明者：
岸本 光司

岸本 光司 について

, 
山田 義明

山田 義明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341646
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186146
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】微細な多層配線な対応できる層間絶縁膜の構造とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が配設され、アルコキシシランを反応ガスとする多周波プラズマCVD法により形成された第1のシリコン酸化膜が前記配線および前記絶縁膜の表面に形成され、アルコキシシランとオゾンとを反応ガスとする常圧CVD法により形成された第2のシリコン酸化膜が前記第1のシリコン酸化膜を被覆し前記配線間を埋設するようにして形成される。
請求項（抜粋）：
半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が配設され、アルコキシシランを反応ガスする多周波プラズマCVD法により形成された第1のシリコン酸化膜が前記配線および前記絶縁膜の表面に形成され、アルコキシシランとオゾンとを反応ガスとする常圧CVD法により形成された第2のシリコン酸化膜が前記第1のシリコン酸化膜を被覆し前記配線間を埋設するようにして形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/95 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 M
引用特許：
審査官引用 (3件)

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