特許
J-GLOBAL ID:200903045471337810

カーボンナノチューブ及び該カーボンナノチューブを得るための加工法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 光田 敦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-107835
公開番号(公開出願番号):特開2002-255527
出願日: 2001年02月28日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 簡単な工程、低コストで、きわめて電界集中の高い、電子放出特性にすぐれた開端を有するカーボンナノチューブを得る。【解決手段】 CVD法により基板に垂直配向されて製造された、先端に触媒金属2が残存するカーボンナノチューブ1を、触媒金属に対向する位置に磁石15を配置し、磁石15の磁力により触媒金属2を吸着して除去し、カーボンナノチューブの先端に複数のエッジを有する開端を形成する。
請求項(抜粋):
CVD法により基板に垂直配向されて製造された、先端に触媒金属が残存するカーボンナノチューブを加工するカーボンナノチューブの加工法であって、上記触媒金属に対向する位置に磁石を配置し、該磁石の磁力により上記触媒金属を吸着して除去し、上記カーボンナノチューブの先端にエッジを有する開端を形成することを特徴とするカーボンナノチューブの加工法。
IPC (3件):
C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26
FI (3件):
C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26
Fターム (5件):
4G046CA02 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4K030BA27 ,  4K030KA34
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献:
前のページに戻る