特許

J-GLOBAL ID：200903045504530107

半導体装置

発明者： 岡山 昌太
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230020
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064498
出願日： 2007年09月05日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】不揮発性メモリに格納された内部回路の動作特性を設定するチューン情報を、メモリセル微細化時においても、電源投入後、正確かつ安定に読出す。【解決手段】2つのメモリアレイ(1a、1b)各々のメモリセルに互いに相補なデータをチューン情報としてツインセルモードで格納する。ツインセル(TW1、TW2)は、互いに相補なチューンデータを格納するメモリセル(MCA1,MCA2,MCB1,MCB2)で構成され、2つのツインセルが同一チューン情報を格納する。チューン情報読出モード時、ダブルツインセルモードでメモリセルの選択およびデータ読出を行い、2つのツインセルの記憶情報を読出す。読出回路(5)により読出されたデータ(Q)に従って、対象回路の動作特性を設定する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

行列状に配列される複数のメモリセルを備え、前記複数のメモリセルは、各々が相補データを記憶する第1および第2のメモリセルを有する複数のツインセルにグループ化され、 各メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルが接続する複数のワード線、 各メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルが接続する複数のビット線、および 少なくともデータ読出サイクル時、行アドレス信号に従って前記複数のワード線からアドレス指定されたワード線を選択状態に駆動する行選択駆動回路を備え、前記行選択駆動回路は、第1の動作モード時にはツインセルの第1および第2のメモリセルが並行して選択されるように前記複数のワード線から第1の数のワード線を選択し、第2の動作モード時には、前記第1の数よりも多くの第2ワード線を並行して選択して前記第1の動作モード時よりも多くのツインセルを並行して選択し、該並行して選択されるツインセルは、同一データを記憶し、 列アドレス信号に従ってアドレス指定された列に対応するビット線を選択する列選択回路を備え、前記選択されるツインセルの第1のトランジスタは第1のビット線に接続され、かつ第2のトランジスタは第2のビット線に接続され、前記列選択回路は、前記第1および第2のビット線を並行して選択し、 前記列選択回路により選択されたビット線の信号に従って、選択されたツインセルの記憶情報を検知して内部読出データを生成する内部読出回路を備える、半導体装置。

IPC (12件)：

G11C 11/15 ,  G11C 29/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G11C 13/00

FI (14件)：

G11C11/15 160 ,  G11C11/15 190 ,  G11C29/00 603J ,  G11C29/00 603X ,  H01L27/10 447 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/82 R ,  H01L27/04 F ,  G11C11/15 150 ,  G11C13/00 A ,  H01L27/10 481

Fターム (62件)：

4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119HH01 ,  4M119HH02 ,  4M119HH04 ,  4M119HH05 ,  4M119HH07 ,  4M119HH11 ,  4M119HH13 ,  4M119HH17 ,  4M119KK11 ,  4M119KK12 ,  5F038AV13 ,  5F038AZ10 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB03 ,  5F064BB04 ,  5F064BB06 ,  5F064BB09 ,  5F064BB15 ,  5F064BB16 ,  5F064BB19 ,  5F064BB20 ,  5F064BB23 ,  5F064CC09 ,  5F064CC22 ,  5F064CC30 ,  5F064FF02 ,  5F064FF04 ,  5F064FF36 ,  5F064FF45 ,  5F083ER22 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083ZA10 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA28 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BE11 ,  5F101BG07 ,  5L106AA09 ,  5L106CC09 ,  5L106CC13 ,  5L106GG05 ,  5L106GG07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-279743   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-323352   出願人：株式会社ルネサステクノロジ