特許
J-GLOBAL ID：200903036060174830

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
藤田 勝之

藤田 勝之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-279743
公開番号（公開出願番号）：特開2004-118921
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】チューニング情報を正確に読み出し、信頼性の向上を図る。【解決手段】チューニング情報を記憶する情報記憶部は、複数の磁性素子&ラッチ回路から構成される。磁性素子&ラッチ回路17は、磁気抵抗効果素子M1,bM1を有し、これにチューニング情報が記憶される。磁気抵抗効果素子M1,bM1には、相補のデータが記憶される。電源投入後、パワーオン検知回路は、ラッチ信号LATCH1,LATCH2を出力する。ラッチ信号LATCH1が“H”になると、チューニング情報は、ラッチ回路に転送される。ラッチ信号LATCH2が“H”になると、このチューニング情報は、ラッチ回路にラッチされ、内部回路に供給される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
磁性層を有する第1素子をメモリセルとしたメモリセルアレイと、前記メモリセルに対するデータ書き込み/読み出し動作を含むメモリ動作を制御する内部回路と、前記メモリセルアレイとは別個に設けられ、前記内部回路のテスト結果に基づく前記内部回路の動作特性を決定する情報を不揮発に記憶する情報記憶部とを具備し、前記情報記憶部は、前記磁性層を有する第2素子を前記情報を記憶するための記憶素子として使用することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
G11C11/15 ,  G11C29/00 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (5件)：
G11C11/15 160 ,  G11C11/15 190 ,  G11C29/00 603J ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (13件)：
5F083FZ10 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA10 ,  5F083ZA28 ,  5L106AA09 ,  5L106CC09 ,  5L106CC13 ,  5L106CC21 ,  5L106CC31 ,  5L106GG05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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