特許
J-GLOBAL ID：200903045508284950

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229990
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058847
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、TFTの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。【解決手段】 上記目的を解決するため、本発明は、絶縁表面上に初期半導体膜と第1のゲート絶縁膜を連続的に形成し、次いで第1のゲート絶縁膜を介して赤外光または紫外光(レーザー光)の照射による初期半導体膜の結晶化を行った後、パターニングを行い所望の形状を有する活性層及び第1のゲート絶縁膜を得た後、第2のゲート絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性を有する表面上の結晶性半導体膜からなる活性層と、前記活性層上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上のゲート配線とを有することを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 618 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM