特許
J-GLOBAL ID：200903033907186475

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207880
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036377
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】 低OFF電流特性を有し、かつ高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。【構成】 アルミニウムでなるゲイト電極106の側面に陽極酸化膜107を形成し、この陽極酸化膜107を利用して109で示されるようにゲイト絶縁膜を選択的に残存させる。そしてこの残存したゲイト絶縁膜を利用して、低濃度不純物領域を形成する。また露呈した半導体層104の表面にシリサイド層を形成する。こうすることで、低濃度不純物領域の作用によって低OFF電流特性が得られ、シリサイド層の効果によって高速動作を得ることができる。
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に配置された低濃度不純物領域と、を有し、前記ソース領域とチャネル形成領域の表面にはシリサイド層が形成され、前記低濃度不純物領域のPまたはN型を付与する不純物の濃度はソース領域及びドレイン領域におけるものより低い濃度であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/316 T ,  H01L 29/78 617 W
引用特許：
審査官引用 (13件)
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