特許

J-GLOBAL ID：200903045542590873

半導体装置及び半導体装置の膜の形成方法

発明者： 於久 泰三 ,  徳増 徳 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341777
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173987
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】導電膜の研磨終点検出や絶縁膜の研磨終点検出が可能で、かつ半導体装置の性能を損なわない成膜方法を提供する。【解決手段】DLC膜3を形成する工程と、DLC膜3上に絶縁膜6を形成する工程と、絶縁膜6を化学的機械的研磨(CMP)法により研磨し、DLC膜3の表出により研磨を停止する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のエッチングストッパ用又は研磨ストッパ用として該層間絶縁膜の下に形成されたDLC(Diamond Like Carbon)膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/88 B

Fターム (80件)：

5F004AA16 ,  5F004CB15 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA29 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004EB04 ,  5F032AA35 ,  5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032DA01 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS27 ,  5F033SS30 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F058BA12 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD18 ,  5F058BF01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF08 ,  5F058BF12 ,  5F058BF13 ,  5F058BF41 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137466   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-090246   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 基材表面被覆層及びその形成方法並びに熱交換器用フィン及びその製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-146046   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭素膜形成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093776   出願人：日新電機株式会社