特許
J-GLOBAL ID：200903045565899413

赤外レーザ用反射ミラーとその製造方法

発明者：
岩本 博実

岩本 博実 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107691
公開番号（公開出願番号）：特開2003-302520
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 反射率が99.5%を越える赤外レーザ用反射ミラーを提供すること。【解決手段】 シリコンまたは無酸素同基材の上に、低屈折率層としてZnSeまたはZnSを、高屈折率層としてGeを組み合わせた交互多層膜を複数組、イオンアシスト蒸着する。その際、低屈折率層膜厚fがf=λcosecθ/4nl(λは赤外波長、θは層中での反射角、nlは屈折率)となり、高屈折率層膜厚eがe=λcosecφ/4nh(λは赤外波長、φは層中での反射角、nhは屈折率)となる。また、表面のGeがアモルファスになり酸化されなくなる。HfO2(酸化ハフニウム)、Bi2O3(酸化ビスマス)をバインダー層として入れると密着性を高揚できる。
請求項（抜粋）：
シリコンまたは無酸素銅基材と、その上に被覆された金層または銀層と、金層又は銀層の上に形成された0.05μm〜0.15μmのHfO2(酸化ハフニウム)またはBi2O3(酸化ビスマス)よりなるバインダー層と、イオンアシスト蒸着によって形成された膜厚fがf=λcosecθ/4nl(λは赤外波長、θは層中での反射角、nlは屈折率)であるZnSe(セレン化亜鉛)またはZnS(硫化亜鉛)の低屈折率層と、イオンアシスト蒸着によって形成された膜厚eがe=λcosecφ/4nh(λは赤外波長、φは層中での反射角、nhは屈折率)であるGeよりなる高屈折率層がm組(m≧2)組み合わされバインダー層の上に設けられた交互積層膜とよりなり、高屈折率層のGeがアモルファス化していることを特徴とする赤外レーザ用反射ミラー。
IPC (5件)：
G02B 5/26 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/48 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/28
FI (5件)：
G02B 5/26 ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/48 D ,  G02B 5/08 A ,  G02B 5/28
Fターム (26件)：
2H042DA04 ,  2H042DA05 ,  2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA09 ,  2H048FA12 ,  2H048FA24 ,  2H048GA04 ,  2H048GA07 ,  2H048GA09 ,  2H048GA19 ,  2H048GA33 ,  2H048GA60 ,  2H048GA62 ,  4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029BA05 ,  4K029BA07 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029CA05 ,  4K029CA09 ,  4K029DC35 ,  4K029FA04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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