特許
J-GLOBAL ID：200903045570791930
受光素子と受光素子を用いた光通信用受信モジュールおよび受光素子を用いた計測器
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-035880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270060
出願日： 2006年02月14日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 InP基板の上に結晶性の良い欠陥の少ない受光層を形成することによって1.65μm〜3.0μmの中赤外光を受光できる製造容易で暗電流の小さい受光素子を与えること。 【解決手段】 InP基板の上に直接にあるいはInPバッファ層を介して1.65μm〜3.0μmの範囲にバンドギャップを持つGaInNAsP受光層又はGaInNAsSb受光層或いはGaInNAsPSb受光層を設け、InP窓層或いはInAlAs窓層をその上に設けるかあるいは設けず、マスクして亜鉛を選択拡散してp領域を形成しp電極をつける。GaInNAsP、GaInNAsSb或いはGaInNAsPSbはInP基板と格子整合(不整合度±0.2%以下)するので格子定数を徐々に変化させるグレーディッド層が不要である。InP基板はn-InPでもSI-InPでもよい。1.65μm〜3.0μmの中赤外光の受光素子を製造することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
InP基板と、その上に設けられバンドギャップ波長が1.65μm〜3.0μmであるGaInNAsP受光層(光吸収層)とを有する事を特徴とする受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F049MA03
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NA05
, 5F049NB01
, 5F049NB07
, 5F049PA01
, 5F049PA04
, 5F049PA09
, 5F049PA18
, 5F049SS04
