半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176039
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】異方性エッチングにより、半導体基板上に極めて平坦な(111)結晶面で構成されるマイクロミラーを、安定して形成する。【解決手段】半導体基板24上に形成されるマイクロミラー形成用のマスクパターン27を、従来の長方形マスクパターンにおいてマイクロミラー形成部となる一辺を折れ線とした、五角形のパターンとする。つまり、マスクパターン27のマイクロミラー形成部には、中央部に頂点(起点)27aを有する山型のパターン形状が採用される。このとき、起点27aを通る、半導体基板24と(111)結晶面との交線35に対し、マスクパターン27の開口部は一方向側に配置される。さらに、(111)結晶面に対するエッチング速度が、(100)および(110)結晶面に対するよりも十分小さい異方性エッチング液を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1のマスクパターンを形成して、前記半導体基板の一部を選択的にエッチングする第1の工程を含む半導体装置の製造方法において、前記第1の工程では、前記第1のマスクパターンとして、開口部輪郭形状の少なくとも一部が多角形よりなり、前記多角形の少なくとも一組の隣り合う二辺が、前記二辺の接点を含む(111)結晶面と前記半導体基板表面との交線で二分される領域の一方の側に配置され、さらに、(100)、(110)、(111)結晶面に対するエッチング速度をR(100)、R(110)、R(111)とする場合、R(111)が、R(100)およびR(110)よりも小さくなる異方性エッチング液を用いて、前記半導体基板を異方性エッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/308 , H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 21/308 B , H01S 5/022

Fターム (16件)：

5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD30 , 5F043FF01 , 5F043FF04 , 5F043FF07 , 5F043GG06 , 5F043GG10 , 5F073AB21 , 5F073AB27 , 5F073AB29 , 5F073BA05 , 5F073DA35 , 5F073FA06 , 5F073FA13 , 5F073FA16

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭60-175421
特開昭62-211980
部品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-301739 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

特開昭60-175421
特開昭62-211980
部品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-301739 出願人：株式会社東芝

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