半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164068
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031819
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】エッチング加工性及びエレクトロマイグレ-ション耐性を向上することが可能なSiを含むAl電極配線層を有する半導体装置を提供する。【構成】半導体装置は拡散層12を有するSi基板11と、拡散層12を露出させるようにSi基板上に設けられた絶縁膜13と、拡散層12上に設けられたバリアメタル層14と、拡散層12とコンタクトをとるようにバリアメタル層14上に設けられたSi含有Al電極配線層15とからなる。Si含有Al電極配線層15中のSi濃度x[wt%]を0<x≦0.5の範囲で設定する。

請求項（抜粋）：