特許

J-GLOBAL ID：200903045618765520

有機アミノシラン前駆体から酸化ケイ素膜を製造するための方法

発明者： ハーレッシュ スリダンダム ,  マンチャオ シャオ ,  シンジャン レイ ,  トーマス リチャード ガフネイ
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-135666
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318142
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】CVDによって基材上に酸化ケイ素層を堆積するための方法を提供する。【解決手段】アルキル基が少なくとも2つの炭素原子を有する有機アミノシラン前駆体を酸化剤の存在下で反応させることにより酸化ケイ素膜を形成することができる。有機アミノシランは、以下の式、即ち、によって表される。ジイソプロピルアミノシランは酸化ケイ素膜の形成に関して好ましい前駆体である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長を通して基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法であって、 以下の式、即ち、

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  C23C16/42

Fターム (16件)：

4K030AA06 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA15 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 米国特許第5,250,473号明細書
  
• 米国特許第5,382,550号明細書
  
• 米国特許第6,391,803号明細書
  
• 米国特許第6,153,261号明細書
  
• 米国特許第6,974,780号明細書
  

審査官引用 (2件)

• 半導体膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284350   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-366854   出願人：富士通株式会社