積層型チップキャパシター

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高村順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-014310
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080479
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】高周波回路においてデカップリングキャパシターに適した、低い等価直列インダクタンス成分を有する積層型チップキャパシターを提供すること。【解決手段】複数の誘電体層が積層され形成されたキャパシター本体と、上記複数の誘電体層上に各々形成され、各々上記誘電体層の一側端に向かって延長された少なくとも一つのリードを有する少なくとも一対の第1及び第2内部電極と、上記キャパシター本体の外部面に形成され上記リードを通して上記内部電極に各々連結された複数の外部端子を含み、上記第1及び第2内部電極各々の内部には上記第1及び第2内部電極間に寄生インダクタンス相殺量が増加するよう電流の流れを分岐する少なくとも一つのオープン領域が上記リードまたは上記リードが形成された辺に隣接して形成される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

複数の誘電体層が積層され形成されたキャパシター本体と、上記複数の誘電体層上に各々形成され、各々上記誘電体層の一側端に向かって延長された少なくとも一つのリードを有する少なくとも一対の第1及び第2内部電極と、上記キャパシター本体の外部面に形成され上記リードを通して上記内部電極に各々連結された複数の外部端子とを含み、上記第1及び第2内部電極各々の内部には上記第1及び第2内部電極間の寄生インダクタンス相殺量が増加するよう電流の流れを分岐する少なくとも一つのオープン領域が上記リードまたは上記リードの形成された辺に隣接して形成されることを特徴とする積層型チップキャパシター。

IPC (2件)：

H01G 4/12 , H01G 4/30

FI (3件)：

H01G4/12 352 , H01G4/30 301D , H01G4/30 301F

Fターム (10件)：

5E001AB03 , 5E001AC02 , 5E082AA01 , 5E082AB03 , 5E082BB07 , 5E082BC30 , 5E082EE04 , 5E082EE16 , 5E082EE17 , 5E082JJ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第5,880,925号明細書
積層型電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-356579 出願人：ティーディーケイ株式会社

審査官引用 (5件)

コンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-050249 出願人：京セラ株式会社
積層型電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-356579 出願人：ティーディーケイ株式会社
セラミックコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-220912 出願人：ティーディーケイ株式会社

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