特許
J-GLOBAL ID:200903045717592866
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大菅 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-389625
公開番号(公開出願番号):特開2002-190531
出願日: 2000年12月21日
公開日(公表日): 2002年07月05日
要約:
【要約】【課題】 トランジスタおよび温度検出用ダイオードを備える半導体装置において、ボンディングワイヤ同士の接触によるトランジスタの誤作動を防止する。【解決手段】 半導体チップ2には、MOSFETおよび温度検出用ダイオードが形成されている。半導体チップ2の上面には、ゲートパッド4、アノードパッド5、及びカソードパッド6が設けられている。ゲートパッド4およびアノードパッド5が互いに所定間隔離れて配置され、それらの間にカソードパッド6が配置されている。これらのパッドは、それぞれボンディングワイヤ8〜10により、回路基板1に形成されている対応するパターンに接続される。
請求項(抜粋):
同一半導体チップ内に形成されたトランジスタおよび温度検出用ダイオードを含む半導体装置において、前記トランジスタの入力端子パッドと前記温度検出用ダイオードのアノードパッドとの間に前記温度検出用ダイオードのカソードパッドが配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78 657
FI (5件):
H01L 21/60 301 C
, H01L 21/60 301 N
, H01L 29/78 652 Q
, H01L 29/78 657 A
, H01L 27/08 102 F
Fターム (4件):
5F044EE02
, 5F044HH00
, 5F048AC10
, 5F048CC06
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平3-188661
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パワー半導体素子及びパワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-224028
出願人:株式会社日立製作所
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-196200
出願人:日産自動車株式会社
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