粒子による汚染を軽減するプラズマ処理システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-536843
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509979
出願日： 1996年05月06日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】プラズマ処理システム(10)は、基板(20)が配設された処理空間(18)を有する処理チャンバ(12)を備える。電気素子(22)は、処理空間(18)に電気的エネルギを供給し、プラズマを発生させることができ、さらに処理の終了後にエネルギの供給を停止してプラズマを消滅させることができる。チャンバ内に設けられた電極(24)は、基板(20)に導電可能に結合し、また、DCバイアス電源に接続され、DCバイアス電源(30)は、電極(24)にDC電力を選択的に供給して基板(20)にバイアスを印加する。DCバイアス電源(30)に接続されたDCバイアス制御回路(40)は、基板へのバイアスを選択的に制御し、プラズマを発生させる電力の供給が停止されるのと略同時に電極(24)及び基板(20)に短時間DC電力を供給し、基板(20)を短時間バイアスして、プラズマ内を浮遊する帯電した汚染因子となる粒子をバイアスした基板(20)から反発させ、基板(20)の汚染を防止する。

請求項（抜粋）：

プラズマにより処理される基板を配設する処理空間を有する処理チャンバと、上記処理空間の少なくとも一部に電気的エネルギを供給して上記基板を処理するためにプラズマを発生させ、上記処理空間への電気的エネルギの供給を停止してプラズマを消滅させる電気素子と、上記電気素子にエネルギを供給してプラズマを発生させ、上記電気素子へのエネルギの供給を停止してプラズマを消滅させるプラズマエネルギ源と、上記処理チャンバ内に配設され、上記基板に電気的に接続する電極と、上記電極に接続され上記電極に選択的にDC電力を供給し、上記基板にバイアスを印加するDC電源(30)と、上記DC電源に接続され、一連のプラズマ処理の間に上記基板へのバイアスの印加を選択的に制御し、上記電気素子によってエネルギの供給が停止される時と略同時に上記電極及び上記基板にDC電力を短時間供給して基板に短時間バイアスを印加し、プラズマが消滅してプラズマ内に浮遊する汚染因子となる帯電した粒子をバイアスが印加された基板から反発させて基板の汚染を軽減するDCバイアス制御回路(40)とを備えるプラズマ処理システム。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/44 , H01J 37/32 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05H 1/46 , C23C 14/54

FI (7件)：

H01L 21/302 A , C23C 16/44 J , H01J 37/32 , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , C23C 14/54

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-194842
プラズマ処理中の粒子のゲッタ除去
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-226086 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-109619

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