特許

J-GLOBAL ID：200903045769046150

半導体デバイスおよび半導体デバイスの強化構造を作製する方法

発明者： チャールズ・アール・デイヴィス ,  デイヴィッド・エル・ホウケン ,  ディー・ヤング・ユング ,  ウィリアム・エフ・ランダース ,  デイヴィッド・エル・クゥエスタッド
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019203
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243401
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率誘電体材料および銅をベースとした金属配線を用いる多層半導体構造に、剥離およびクラッキングを阻止するメッシュ状強化構造を作製する。【解決手段】 メッシュ状相互接続構造は、各配線レベルにおいて導電線37,38によって相互接続された導電パッド45を備え、各導電パッドは、複数の導電バイアによって、次の配線レベルの隣接パッドに接続される。導電パッド,ライン,バイアは、通常のBEOLデバイス配線レベル統合プロセスの間に作製される。このメッシュ状強化構造は、チップのようなデバイスの周囲に、あるいは剥離を阻止するための連結を必要とするデバイスの空き領域内に作製することができる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスであって、能動デバイス領域と受動領域とを有し、前記半導体デバイスの最上の配線レベルへ延びる絶縁材料の層によって、多数の配線レベルが分離され、前記多数の配線レベルの少なくとも幾つかが、低誘電率誘電体絶縁材料によって分離されている半導体基板と、前記受動領域内の前記最上の配線レベルと、低誘電率絶縁材料の層以外の層に付着された前記配線レベルのうちの少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する各配線レベルとに形成された導電パッドと、前記最上の配線レベルの前記導電パッドと、次に下側の配線レベルの前記導電パッドとの間に、および前記配線レベルのうちの前記少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する前記各配線レベルの各導電パッド間に、接触しおよび配置された前記導電パッドの面積よりもかなり小さい断面積を有する少なくとも1個の導電バイアと、を備える半導体デバイス。

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 T

Fターム (25件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033SS21 ,  5F033UU04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-136371   出願人：日本電気株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001162   出願人：日本電気株式会社