特許

J-GLOBAL ID：200903045773319293

化学機械研磨組成物

発明者： 板倉 哲之 ,  櫻井 伸
出願人/特許権者： 東京磁気印刷株式会社
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133621
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、半導体配線製造工程におけるアルミニウム、銅及びタングステン等の金属の配線等の研磨段階において、エッチング速度を抑えかつ研磨速度を増大させる化学機械研磨組成物(CMP組成物)に関する。【解決手段】 この発明は、研磨砥粒、酸化剤、抑制剤及びアミノ酸を含む化学機械研磨組成物おいて、前記化学機械研磨組成物中の前記酸化剤及び前記アミノ酸の濃度の合計が0.1〜0.8重量%である化学機械研磨組成物を提供する。

請求項（抜粋）：

研磨砥粒、酸化剤、抑制剤及びアミノ酸を含む化学機械研磨組成物おいて、前記化学機械研磨組成物中の前記酸化剤及び前記アミノ酸の濃度の合計が0.1〜0.8重量%である化学機械研磨組成物。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/88 K

Fターム (11件)：

3C058AA07 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F033HH11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 銅/タンタル基体に有用な化学的機械研磨スラリー
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-557316   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝