特許
J-GLOBAL ID：200903045774482090
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法およびハーフトーン型位相シフトマスクのブランク
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138832
公開番号（公開出願番号）：特開平11-327121
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：
【要約】【課題】受注から製品完成までに要する時間を短縮し、製品完成前にブランクの状態で検査することができる製造方法、及びそれに必要なブランクを提供する。【解決手段】透明基板の上に半透明位相シフト層(4)、遮光層(5)、第1レジスト層(6)を順次積層する工程、有効領域の外側の外周部のみ所定の形状にパターニングして第1レジスト膜を形成する工程、遮光層をエッチングによりパターニングして遮光膜(5')を形成する工程、第1レジスト膜(6')を剥離する工程、有効領域に露出している半透明位相シフト層を検査する工程、第2レジスト層(7)を積層する工程、メインパターンの形状に相当する第2レジスト膜(7')を形成する工程、半透明位相シフト層をエッチングによりパターニングして半透明位相シフト膜(4')を形成する工程、第2レジスト膜を剥離する工程、とを有する。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に半透明位相シフト膜及び遮光膜を順次積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、(1)透明基板の上に半透明位相シフト層、遮光層、第1レジスト層を順次積層する工程、(2)第1レジスト層をパターニングしてメインパターンが存在することになる有効領域の外側の外周部に選択的に第1レジスト層を残存させて、第1レジスト膜を形成する工程、(3)第1レジスト膜をマスクとして、遮光層をエッチングによりパターニングして遮光膜を形成する工程、(4)第1レジスト膜を剥離する工程、(5)有効領域に露出している半透明位相シフト層を検査する工程、(6)第2レジスト層を積層する工程、(7)第2レジスト層を所定の形状にパターニングして、有効領域の中にメインパターンの形状に相当する第2レジスト膜を形成する工程、(8)第2レジスト膜をマスクとして、半透明位相シフト層をエッチングによりパターニングしてメインパターン形状の半透明位相シフト膜を形成する工程、(9)第2レジスト膜を剥離する工程、とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
