特許
J-GLOBAL ID：200903045781509816
面発光型レーザ素子および面発光型レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397920
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198061
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性,再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。【解決手段】 予め選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶を結晶成長した後、電流通路となる領域の前記のAlx1Ga1-x1As混晶をエッチング除去し、これよりもAl組成の小さいAlx2Ga1-x2As混晶をエッチング領域に再成長し選択酸化層の酸化を行う面発光型レーザ素子において、選択酸化層となるAlx1Ga1-x1As混晶の下層に更にAl組成の小さなAlx3Ga1-x3Asを設ける。
請求項（抜粋）：
活性層と、活性層を挟み対向する一対の半導体分布ブラッグ反射器とを有し、前記活性層と分布ブラッグ反射器との間に、または、分布ブラッグ反射器中に、Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As選択酸化層(0<x1≦1)を設けた後、電流通路にあたる前記Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As選択酸化層をエッチング除去し、該エッチング領域にAl<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As層よりもAl組成の小さいAl<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As層(0≦x2<x1≦1)による電流通路を設け、更に前記Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As選択酸化層を横方向に酸化して形成した電流狭窄構造が設けられた面発光型レーザ素子において、前記Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As層の下層にAl<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As層(0≦x3<x2<1)を設けたことを特徴とする面発光型レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
5F073AA07
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA55
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB05
, 5F073AB17
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CA20
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA23
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073DA35
, 5F073EA02
, 5F073EA22
, 5F073EA29
, 5F073FA07
