特許
J-GLOBAL ID：200903082644085300
表面発光型半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-168083
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121867
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 横モードが安定しており、しかも、しきい値電流が低く、高出力である表面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 活性層を挟んで上下のスペーサ層が形成され、上下のスペーサーの上に上下の反射膜が形成される表面発光型半導体レーザにおいて、上下のスペーサ層と上下の反射膜との間の一方または双方に、上下のスペーサ層の材料と上下の反射膜の材料とのいずれとも格子定数が近く、上下のスペーサ層の材料と上下の反射膜の材料の各々が実効的に有する屈折率よりも僅かに小さい屈折率を有する材料からなり、厚さが100nm以下の半導体層よりなる光閉じ込め層が、光放出領域を除いて形成されている表面発光型半導体レーザである。
請求項（抜粋）：
活性層を挟んで上下のスペーサ層が形成され、該上下のスペーサー層を挟んで上下の反射膜が形成されてなる表面発光型半導体レーザにおいて、前記上下のスペーサ層と前記上下の反射膜との間の一方または双方に、前記上下のスペーサ層の材料と前記上下の反射膜の材料とのいずれとも格子定数が近く、前記上下のスペーサ層の材料と前記上下の反射膜の材料の各々が実効的に有する屈折率よりも僅かに小さい屈折率を有する材料からなり、厚さが100nm以下の半導体層よりなる光閉じ込め層が、光放出領域を除いて形成されてなることを特徴とする表面発光型半導体レーザ。
引用特許：
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