特許
J-GLOBAL ID：200903045850434998

金属プラグおよび金属配線の形成方法

発明者：
原 昌輝

原 昌輝 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037792
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233452
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 配線間容量を増加させたり工程数を増加させたりすることなく、配線幅と接続孔の直径とを同等とすることができ、これによって配線の狭ピッチ化を図ることができる金属プラグおよび金属配線の形成方法を提供する。【解決手段】 Al合金配線1上にSiOx 系膜2を成膜した後、これをエッチングして接続孔3を形成する。全面にa-C膜4を成膜して接続孔3を埋め込んだ後、このa-C膜4を研磨して接続孔3内にa-Cプラグ5を形成する。SiOx 系膜2およびa-Cプラグ5上にSiOx 系膜6を成膜した後、これをエッチングしてa-Cプラグ5と重なるように配線溝7を形成する。この配線溝7の幅は接続孔3の直径と同一にする。a-Cプラグ5を除去した後、接続孔3と配線溝7とからなる空洞部にAl膜を埋め込んでデュアルダマシン配線8を形成する。
請求項（抜粋）：
基体上に第1の絶縁膜を形成した後、上記第1の絶縁膜に接続孔を形成する工程と、上記第1の絶縁膜と異なる材料で上記接続孔を埋め込む工程と、上記第1の絶縁膜および上記材料で埋め込まれた上記接続孔上に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜に少なくとも上記接続孔の一部と重なる配線溝を形成する工程と、上記接続孔に埋め込まれた上記材料を除去する工程と、上記接続孔および上記配線溝を金属で埋め込む工程とを有することを特徴とする金属プラグおよび金属配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/283
FI (2件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/283 Z
引用特許：
審査官引用 (5件)
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