特許
J-GLOBAL ID：200903046506099680
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271399
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116006
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンの膜厚を一定に保つことにより、精度よくレジストパターンを形成でき、接続穴の直径を十分に確保することにより、接続部分の抵抗を減少させ、かつ第1の配線層と第2の配線層との間で接続不良の問題が生じない多層配線の形成方法を提供する。【解決手段】 第1の導電層を被覆しかつ主表面を有する絶縁層201の一部を除去することにより、第1の導電層109に達する穴205を絶縁層201に形成する工程と、穴205を少なくとも充填する有機物層206を形成する工程と、穴に充填された有機物層207に接する部分209において、絶縁層201の一部を除去する工程と、穴205に充填された有機物層207を除去することにより、穴205に連なる凹部209を絶縁層201に形成する工程と、穴205と凹部209とを充填するように第2の導電層202,203を形成する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された第1の導電層を被覆しかつ主表面を有する絶縁層の一部を除去することにより、前記第1の導電層に達する穴を前記絶縁層に形成する工程と、前記穴を少なくとも充填する有機物層を形成する工程と、前記穴に充填された前記有機物層に接する部分において、前記絶縁層の一部を除去する工程と、前記穴に充填された前記有機物層を除去することにより、前記穴に連なる凹部を前記絶縁層に形成する工程と、前記穴と前記凹部とを充填するように第2の導電層を形成する工程とを備えた、多層配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
, H01L 21/3213
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 J
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 C
