特許
J-GLOBAL ID：200903045851478727
誘導結合プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-327421
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167696
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、RFアンテナ、プラズマ処理室に大幅な構造的変更を加えずに、プラズマ密度を均一化することができ、外周壁の不均一な消耗を防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明を適用した誘導結合プラズマ処理装置は、外周壁の一部が誘電体11からなるチャンバ10と、誘電体11の外周に配設されたRFアンテナ23と、誘電体11とRFアンテナ23の間であってRFアンテナ23の接地端の近傍に設けられた環状の誘電体15とを備える。RFアンテナ23は、その接地端が天板である対抗電極12側に位置するように配設されている。環状の誘電体15は、誘電体11とRFアンテナ23の間であって、RFアンテナ23の接地端の近傍に、すなわちこの誘電体15が設けられていないときにプラズマ密度が高くなる空間113aに対応して配設されている。
請求項（抜粋）：
誘導結合プラズマを用いるプラズマ処理装置において、一部が電磁波を透過する第1の誘電体からなるチャンバと、上記チャンバの第1の誘電体の外側に配設された電磁波を発生するアンテナと、上記第1の誘電体とアンテナの間であって、第1の誘電体の一部に対応して配設された電磁波を透過する第2の誘電体と、を備えることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H05H 1/46 A
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
