特許
J-GLOBAL ID：200903045863731622
イオン注入方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346771
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162137
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入に際し、マスクパターンの開口の位置及び面積を微細に調整する方法を提供する。【解決手段】 基板上にホトレジスト層からなるマスクパターンを形成し、ホトレジスト層をマスクにしてイオン注入する際、ホトレジスト層にリフロー熱処理を施して、マスクパターンの開口部の下端縁の開口径を縮小させ、それによってイオン注入領域の位置及び面積を調整する。
請求項（抜粋）：
基板上にホトレジスト層からなるマスクパターンを形成し、ホトレジスト層をマスクにしてイオン注入する際、ホトレジスト層にリフロー熱処理を施して、マスクパターンの開口部の下端縁の開口径を縮小させ、それによってイオン注入領域の位置及び面積を調整することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (4件)：
H01L 21/266
, C23C 14/48
, G03F 7/40 521
, H01L 27/148
H01L 21/265 M
, C23C 14/48 Z
, G03F 7/40 521
, H01L 27/14 B
