特許
J-GLOBAL ID：200903045864447480
金属窒化物単結晶薄膜育成法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079325
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263766
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 従来従来の方法では困難となされる高真空下での金属化合物薄膜合成を確実に実施し、かつ薄膜育成速度や膜構造均一性などに関する微細制御が可能な育成技術を伴う薄膜育成方法および該方法を実施するための装置を提供する。【構成】 上記課題を解決するために、本発明にもとづく方法は、分子線によって基板上に金属窒化物からなる単結晶薄膜を育成する際に、ラジカルビームによる反応種の励起・活性化を行う。また、本発明にもとづく装置は、分子線によって基板上に金属窒化物からなる単結晶薄膜を育成するための手段と、ラジカルビームによる反応種の励起・活性化を行うための手段とを有する。
請求項（抜粋）：
金属窒化物からなる単結晶薄膜を基板上に育成するための方法において、分子線によって前記基板上に前記金属窒化物からなる単結晶薄膜を育成する際に、ラジカルビームによる反応種の励起・活性化を行うことを特徴とする金属窒化物単結晶薄膜育成法。
IPC (3件)：
H01L 39/24 ZAA
, C23C 14/06
, H01L 21/203
