特許

J-GLOBAL ID：200903045874404950

半導体レーザの製造方法

発明者： 竹谷 元伸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335379
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147815
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面への不純物ドープに依らずに窓構造を設けることで、CODレベルの向上を図る。【解決手段】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面21を形成した後、その共振器端面21にレーザ光を照射して、その共振器端面21の近傍からのIn離脱を行って、これにより半導体レーザの活性層のバンドギャップEgを大きくする窓構造を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、 前記半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、 前記共振器端面を形成した後、当該共振器端面にレーザ光を照射して、当該共振器端面近傍からのIn離脱を行う照射工程と を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/028

FI (1件)：

H01S5/028

Fターム (7件)：

5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AL02 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AR68

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-244737   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-191614   出願人：ソニー株式会社