特許
J-GLOBAL ID：200903034982430051
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244737
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068782
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 窓構造を有する半導体レーザ装置において、窓領域に注入される無効電流を抑制し、素子の高出力化、高信頼性化を図る。【解決手段】 窓領域に水素を添加してドーパント不純物を不活性化することにより、窓領域の抵抗率を上昇させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の光出射端面に不純物ドープによる窓領域を設けて、前記窓領域の半導体層に含まれる水素原子濃度を内部側の水素原子濃度より大きくした半導体発光装置。
Fターム (13件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA84
, 5F073AA86
, 5F073AA87
, 5F073BA06
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB18
, 5F073DA11
, 5F073DA13
, 5F073DA33
, 5F073EA28
