特許
J-GLOBAL ID：200903045874640530
後清浄化処理
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
片山 英二 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-535936
公開番号（公開出願番号）：特表2001-500922
出願日： 1998年02月14日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】金属又は誘電体の表面から化学的残留物を除くための、又は銅表面の化学的機械的研磨のための組成物が、pH約3.5〜約7の水溶液である。この組成物は、1官能性、2官能性又は3官能性有機酸及び緩衝量の第4級アミン、水酸化アンモニウム、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩塩基を含む。金属又は誘電体の表面から化学的残留物を除去するための本発明方法は、上記金属又は誘電体の表面を上記組成物と、上記化学的残留物を除くのに充分な時間接触させることを含む。銅表面の化学的機械的研磨のための本発明方法は、銅表面に上記組成物を適用し、上記組成物の存在下で上記表面を研磨することを含む。
請求項（抜粋）：
金属又は誘電体の表面から化学的残留物を除くための、又は銅表面の化学的機械的研磨のための組成物であって、pH約3.5〜約7の水溶液からなり、次のものを含む組成物: (a)1官能性、2官能性又は3官能性有機酸;及び (b)緩衝量の第4級アミン、水酸化アンモニウム、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩、ヒドラジン又はヒドラジン塩塩基。
IPC (5件)：
C11D 7/26
, B24B 37/00
, C11D 7/32
, H01L 21/304 622
, H01L 21/308
C11D 7/26
, B24B 37/00 H
, C11D 7/32
, H01L 21/304 622 C
, H01L 21/308 G
