特許

J-GLOBAL ID：200903045887887526

化合物太陽電池の製造方法

発明者： 大竹 保年
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192986
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008039
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 高い変換効率の実現が可能なスーパーストレート型の化合物太陽電池を製造できる方法を提供する。【解決手段】 透光性基板1上に、透明導電膜2、バッファ層3、光吸収層4、および裏面電極5を順に形成する製造方法が提供される。当該製造方法において、基板温度を400°C以上に設定し、I-III-VI2族化合物からなる光吸収層4、およびII-III2-VI4族化合物からなるバッファ層3を蒸着法により同一装置において連続的に形成する。光吸収層4は典型的にはCu、InおよびSeを含む化合物からなる。バッファ層3をII-III2-VI4族化合物で構成することにより、光吸収層の結晶性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

透光性基板と、その上に形成された透光性層、バッファ層、光吸収層、および電極とを備える化合物太陽電池の製造方法であって、透光性基板上に形成された透光性層上に、前記基板の温度を400°C以上に設定して、周期律表の第2族元素、第3族元素および第6族元素から構成される化合物からなるバッファ層を蒸着法により形成する工程と、前記バッファ層上に、前記基板の温度を400°C以上に設定して、周期律表の第1族元素、第3族元素および第6族元素で構成される化合物からなる光吸収層を蒸着法により形成する工程と、前記光吸収層上に電極を形成する工程とを備え、前記バッファ層を形成する工程と、前記光吸収層を形成する工程とは、同一装置内で連続的に行われることを特徴とする、製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 14/06 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E

Fターム (22件)：

4K029AA09 ,  4K029BA05 ,  4K029BA31 ,  4K029BA49 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA08 ,  5F045AA03 ,  5F045AA19 ,  5F045AB40 ,  5F045BB05 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045HA11 ,  5F051AA10 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051EA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-168694   出願人：松下電器産業株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-099498   出願人：矢崎総業株式会社
• 化合物薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-300025   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-192986   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Characterization of ZnInxSey Thin Films as a Buffer Layer for High Efficiency Cu(InGa)Se2 Thin-Film
• Characterization of ZnInxSey Thin Films as a Buffer Layer for High Efficiency Cu(InGa)Se2 Thin-Film