半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221356
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043517
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】高周波特性が高く、高集積化および容量の高精度な制御が可能であるキャパシタ素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属材料からなる第1の下部電極層2と、第1の下部電極層2上に形成され、イオン照射またはプラズマ処理がなされた、第1の下部電極層2表面における光反射を低減する光学的特性を有する第2の下部電極層4と、第2の下部電極層4上に形成された誘電体層5と、誘電体層5上に形成された上部電極層6とを少なくとも有する半導体装置、およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

第1の下部電極層と、前記第1の下部電極層上に形成され、前記第1の下部電極層表面における光反射を低減する光学的特性を有する第2の下部電極層と、前記第2の下部電極層上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された上部電極層とを少なくとも有する半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 4/33 , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 400 , H01G 4/40 , H01L 21/768 , H01L 21/8249 , H01L 27/06

FI (8件)：

H01G 4/12 394 , H01G 4/12 400 , H01L 27/04 C , H01G 4/06 102 , H01G 4/40 A , H01G 4/40 321 A , H01L 21/90 B , H01L 27/06 321 A

Fターム (73件)：

5E001AB06 , 5E001AC04 , 5E001AC09 , 5E001AC10 , 5E001AE00 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH03 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E001AZ01 , 5E082AB03 , 5E082BB05 , 5E082BC40 , 5E082DD08 , 5E082DD13 , 5E082EE05 , 5E082EE18 , 5E082EE22 , 5E082EE23 , 5E082EE24 , 5E082EE27 , 5E082EE37 , 5E082EE45 , 5E082EE47 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082FG42 , 5E082KK01 , 5E082KK08 , 5E082LL02 , 5E082PP06 , 5F033HH09 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033KK09 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ03 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038EZ11 , 5F038EZ20 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA07 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048CA03 , 5F048CA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

相互接続配線システムおよび形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-073163 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
薄膜コンデンサとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-083172 出願人：日本電気株式会社
貴金属酸化物の製法および貴金属酸化物から形成される構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-298381 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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