静電気保護回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253186
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163423
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は静電気放電に関するもので、大きなダイオードを用いずとも過多な静電気の流入から素子を保護することができる静電気保護回路を提供する。【解決手段】本発明の静電気保護回路は、正負の電源端子と回路の入出力端子との間に複数の静電気保護回路を接続した。

請求項（抜粋）：

半導体素子の静電気保護回路において、正負の電源端子と前記半導体素子の入、出力端子との間で、1個以上のダイオードから構成されて、入、出力端子を通じて印加された静電気をバイパスさせる1次静電破壊防止回路と、前記1次静電破壊防止回路と並列に連結され、1個以上のダイオードから構成される2次静電破壊防止回路と有することを特徴とする、静電気保護回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (5件)

低電圧トリガ式ESD保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-192239 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平2-244757
特開昭63-137478

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