特許

J-GLOBAL ID：200903045988362009

電子素子

発明者： 嘉数 誠 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127034
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324812
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】電子の飽和速度が極めて高いというダイヤモンド固有の優れた電気的特性を生かし、超高速、超高周波で動作し、高温動作可能な電子素子を提供する。【解決手段】基板11上に設けたダイヤモンド層12と、ダイヤモンド層12の上に設けた化合物層であるAlN層13と、ダイヤモンド層12とAlN層13との間のヘテロ接合に電気的に接合するオーミック接触のソース電極14およびドレイン電極15と、AlN層13の表面にショットキー接触し、ソース電極14およびドレイン電極15と離れて設けたゲート電極16と、ゲート電極16に印加するゲート電圧により、ドレイン電極15から、前記ヘテロ接合面もしくはその近傍を介して、ソース電極14に流れるソース・ドレイン電流の値を制御可能な三端子の電子素子。

請求項（抜粋）：

基板上に設けたダイヤモンド層と、前記ダイヤモンド層の上に設けた、少なくともAlおよびN、もしくは少なくともBおよびNを合有する化合物層と、前記ダイヤモンド層と前記化合物層との間のヘテロ接合に電気的に接合するオーミック接触のソース電極およびドレイン電極と、前記化合物層の表面にショットキー接触し、前記ソース電極および前記ドレイン電極と離れて設けたゲート電極とを有し、前記ゲート電極に印加するゲート電圧により、前記ドレイン電極から、前記ヘテロ接合面もしくはその近傍を介して、前記ソース電極に流れるソース・ドレイン電流の値を制御可能な三端子の電子素子。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  C30B 29/04 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

C30B 29/04 W ,  H01L 29/80 H

Fターム (16件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077HA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL02 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221785   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-015607   出願人：富士電機株式会社
• 特開平4-302150