特許

J-GLOBAL ID：200903046014043735

真空排気方法

発明者： 松瀬 公裕
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089933
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259098
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】[目的]搬送室のような真空チャンバをそれほど真空度に排気しなくても被処理体の変質を効果的に防止する。[構成]開閉弁42が開けられ、ターボ分子ポンプ40によって搬送室14,16内が大気圧状態から真空排気される。この真空引きは、搬送室14,16内の気圧が所定の真空度たとえば1×10-5Torr程度に達するまで行われる。この真空引きが終了すると、ガス供給系の開閉弁44が開けられ、不活性ガス供給源48より不活性ガスたとえばN2 ガスが所定の圧力・流量で搬送室14,16内に供給される。一方、ターボ分子ポンプ40による真空排気も継続して行われる。このように、搬送室14,16は、N2 ガスの供給を受けながら真空排気されることによって、室内の真空度がたとえば1×10-2Torr程度に保たれ、この真空状態の下でウエハ搬送作業が行われる。

請求項（抜粋）：

被処理体を保管もしくは移送し、または非化学的に処理するための所定のチャンバの室内を真空に排気する方法において、前記チャンバ内に不活性ガスを供給しながら真空排気することを特徴とする真空排気方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B25J 9/10 ,  C23C 14/56 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178172   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭62-045117
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194093   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-055840