特許

J-GLOBAL ID：200903046014558247

可視光半導体レーザ

発明者： 山本 直
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084730
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246653
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体層表面の平坦性を向上させ、これにより高信頼性の可視光半導体レーザを提供する。【解決手段】 本可視光半導体レーザは、Ga As 基板上に、Ga InPAs活性層と活性層を挟む(Alx Ga1-x )Z In1-Z P1-Y AsY とからなるクラッド層とを備えている。例えば、本可視光半導体レーザ30は、n-Ga As 基板32上に順次格子整合させて形成した、n-(Alx Ga1-x )0.5 In 0.5P0.95As0.05からなる下部クラッド層34と、真性Ga InPAsからなる活性層36と、p-(Alx Ga1-x )0.5 In 0.5P0.95As0.05からなる上部クラッド層38と、p-Ga InPからなるバッファ層40と、及び、p-GaAs からなるコンタクト層42とから構成されている。

請求項（抜粋）：

Ga As 基板上に、Ga InPAs活性層と、活性層を挟む(Alx Ga1-x )Z In1-Z P1-Y AsY からなるクラッド層とを備えることを特徴とする可視光半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-122379   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 特開平4-039986
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-305673   出願人：富士写真フイルム株式会社