半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305673
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274407
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】良質の結晶が再現性良く得られ、高出力発振下においても信頼性の高い、発振波長帯0.63〜1.1 μmの半導体レーザを得る。【解決手段】活性層5をInGaAsP系の化合物半導体から形成し、この活性層5を挟む光導波層4、6を、V族元素の中でのAsの含有量が2%以上であるInGaAsP系の4元の化合物半導体、あるいはV族元素の中でのAsの含有量が2〜10%であるInGaAlAsP系の5元の化合物半導体から形成し、クラッド層3、7を、V族元素の中でのAsの含有量が2〜10%である、InGaAsP系の4元あるいはInGaAlAsP系の5元の化合物半導体から形成する。

請求項（抜粋）：

活性層がInGaAsP系の化合物半導体からなり、この活性層を挟む光導波層が、V族元素の中でのAsの含有量が2%以上であるInGaAsP系の4元の化合物半導体、あるいはV族元素の中でのAsの含有量が2〜10%であるInGaAlAsP系の5元の化合物半導体からなり、クラッド層が、V族元素の中でのAsの含有量が2〜10%である、InGaAsP系の4元あるいはInGaAlAsP系の5元の化合物半導体からなることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (6件)

歪量子井戸半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-070598 出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-225545 出願人：沖電気工業株式会社
面発光型半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294301 出願人：日本電信電話株式会社

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