特許
J-GLOBAL ID:200903046037832222
電力半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮田 金雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-052601
公開番号(公開出願番号):特開2000-252416
出願日: 1999年03月01日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 封止樹脂の加熱硬化時の収縮に起因する枠体の変形に伴う基板の反り等の変形を防止し、放熱板への取付けによる熱抵抗を小さくできる電力半導体装置を得る。【解決手段】 外部接続端子6がインサートされた樹脂製の枠体1におけるワイヤボンディングマシンのボンディングヘッド(図示せず)を挿入させるために必然的に大きな開口端1bの内周に、格子状の支柱13を圧入によりアウトサートし、枠体1の成形時の変形を矯正すると共に、封止樹脂9の加熱硬化時の収縮に起因する枠体1の変形に伴う基板の反り等の変形を防止する。
請求項(抜粋):
電力半導体素子を載置した基板と、両端が開口し、その一方の開口端を前記基板で塞ぐと共に、該基板に載置された前記電力半導体素子を囲繞する枠体と、該枠体にインサートされ、一端が前記枠体の内壁面に露出し、該露出した一端と前記電力半導体素子とをワイヤボンディングにて相互に接続された外部接続端子と、前記電力半導体素子を樹脂封止すると共に前記枠体における他方の開口端を塞ぐ封止樹脂と、前記他方の開口端の内周に嵌挿され、前記封止樹脂の加熱硬化に伴う前記枠体の変形を阻止する変形阻止部材とを備えたことを特徴とする電力半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/28
FI (2件):
H01L 25/04 C
, H01L 23/28 K
Fターム (5件):
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA02
, 4M109DB10
, 4M109EA02
引用特許:
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