特許
J-GLOBAL ID:200903046043238049

薄膜インダクタ素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武 顕次郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-201048
公開番号(公開出願番号):特開2003-017324
出願日: 2001年07月02日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【課題】 製造工程を簡略化でき高Q値化にも好適な薄膜インダクタ素子を提供すること。【解決手段】 基板1の表面に成膜した下地材料9上にレジストパターン10を形成し、この下地材料9の表面に導体材料11を電解めっきした後、レジストパターン10を剥離して不要な下地材料9を除去することにより、基板1上に所望形状の下地層7と導体材料11の積層体を形成する。次いで、この積層体を覆うように基板1上に絶縁材料12を成膜した後、導体材料11と絶縁材料12を研磨することにより、基板1上に上面が平坦化された渦巻き形状の導体層2と絶縁体層3を形成する。しかる後、導体層2と絶縁体層3の平坦な上面に絶縁膜4をパターン形成し、この絶縁膜4上に引出し電極5と外側電極6をめっき形成することにより、引出し電極5を導体層2の内端部上面から絶縁膜4の上面を通って外側へ導出させると共に、外側電極6を導体層2の外端部上面に接続させた薄膜インダクタ素子を得る。
請求項(抜粋):
基板上に渦巻き状に巻回した導体層をめっき形成すると共に、前記導体層の周囲にその上面が該導体層と同一平面になるように絶縁体層を形成し、前記導体層の内端部上面に引出し電極を形成して外側へ導出すると共に、少なくとも前記引出し電極と前記導体層の巻回部とが交差する部分に絶縁膜を介在させたことを特徴とする薄膜インダクタ素子。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 41/04
FI (2件):
H01F 17/00 B ,  H01F 41/04 C
Fターム (4件):
5E062DD01 ,  5E070AA01 ,  5E070CB04 ,  5E070CB12
引用特許:
審査官引用 (5件)
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