拡散シリコンウェハおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185969
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009006
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】拡散シリコンウェハを用いて半導体デバイスを製造する際に、拡散転移に基づいて生じる結晶欠陥の発生を防止し、半導体デバイス製造の歩留まりを改善する。【解決手段】拡散シリコンウェハの拡散面のシート抵抗が0.085〜0.115Ω/□の範囲となるように、シリコンウェハ表面にリン、ボロン等の不純物を拡散させる。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハに不純物を拡散することにより得られる拡散ウェハにおいて、拡散面のシート抵抗が0.085〜0.115Ω/□であることを特徴とする拡散ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/22 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/22 Y , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-245423
拡散ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-283992 出願人：コマツ電子金属株式会社
特開平2-306621

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