特許

J-GLOBAL ID：200903046058509871

MOS構造を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 尾田 秀一 ,  栄森 貴尚 ,  由上 二郎 ,  丸山 隆弘 ,  山下 朋弘 ,  西田 征男 ,  山成 真市 ,  林 岳 ,  森 健壹
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201646
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019396
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】製造プロセスを煩雑にすることなく、閾値が異なるMOS構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値を適切に制御でき、かつゲート電極からチャネル領域への拡散を顕著としない技術を提供する。【解決手段】PMOSトランジスタQPはゲート電極GP及びこれとゲート絶縁膜5を介して対峙するN型ウェル31を、NMOSトランジスタQNはゲート電極GN及びこれとゲート絶縁膜5を介して対峙するP型ウェル32を、それぞれ有している。ゲート電極GNは多結晶シリコン層63で構成される一方、ゲート電極GPは金属層64/多結晶シリコン層63の積層構造を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体層と、 前記第1半導体層上に配置された第1ゲート絶縁膜と、 前記第1ゲート絶縁膜上に配置された金属層及び前記金属層上に配置された第3半導体層を有する第1ゲート電極と、 第2半導体層と、 前記第2半導体層上に配置された第2ゲート絶縁膜と、 前記第2ゲート絶縁膜上に配置された第4半導体層を有する第2ゲート電極と を備えた、MOS構造を有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L27/08 102C ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G

Fターム (94件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD63 ,  4M104DD71 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE02 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CB01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 金属及び対応する金属珪化物から形成した各ゲートを有する相補形トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-364046   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
• デュアルゲートを有するCMOS型半導体装置形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-107118   出願人：三星電子株式会社
• MOS型半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-311387   出願人：株式会社半導体理工学研究センター