特許

J-GLOBAL ID：200903074727428703

金属及び対応する金属珪化物から形成した各ゲートを有する相補形トランジスタ

発明者： アントニオ エル、ピー、ロトンダロ ,  マーク アール、ヴィソケイ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364046
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217313
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 従来法の限界及び欠点を解決したトランジスタ形成法及びそれを用いた集積回路を提供する。【解決手段】 半導体表面を与え、前記半導体20表面に隣接したゲート誘電体30を形成し、前記ゲート誘電体に対し固定された関係に金属部分を有する第一トランジスタゲート電極90を形成し、そして前記ゲート誘電体に対し固定された関係に前記金属部分の珪化物を有する第二トランジスタゲート電極を形成する、工程からなる第一及び第二トランジスタを有する複数のトランジスタを形成する方法。

請求項（抜粋）：

第一及び第二トランジスタを有する複数のトランジスタを形成する方法において、半導体表面を与え、前記半導体表面に隣接したゲート誘電体を形成し、前記ゲート誘電体に対し固定された関係にある金属部分を有する第一トランジスタゲート電極を形成し、そして前記ゲート誘電体に対し固定された関係にある前記金属部分の珪化物を有する第二トランジスタゲート電極を形成する、工程からなるトランジスタ形成法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/62 G

Fターム (21件)：

4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD94 ,  4M104DD95 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124405   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-045923
  
• MOSFET及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-165000   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-068332   出願人：株式会社東芝, 加賀東芝エレクトロニクス株式会社