半導体構成素子のための耐高圧縁部構造

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519469
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522145
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】本発明は、第1の伝導タイプのフローティングガードリングを有し、これらのフローティングガードリングの間に配置された第2の伝導タイプのリング間ゾーンを有する半導体構成素子の縁部領域における耐高圧縁部構造に関し、フローティングガードリング及び/又はリング間ゾーンの伝導率及び/又はジオメトリは、阻止電圧が印加されるとフローティングガードリング及び/又はリング間ゾーンの電荷担体が完全に除去されるように調整されている。本発明の縁部構造によって、半導体の表面及び半導体ボディのボリュームにおいて電界の調整が実現される。本発明の縁部構造の適当な設計仕様において、最大電界強度が簡単なやり方で深部にまで、すなわち垂直pn接合部の領域にまで供給される。この場合、p及びnドーピングの広い濃度領域に亘って常に適切な縁部構成が提供される。この適切な縁部構成によってボリュームにおける電界の「ソフトな」ランアウトが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体構成素子の縁部領域(RB)における耐高圧縁部構造であって、半導体ボディ(1)を有し、該半導体ボディ(1)の第1の表面(3)には少なくとも1つの第1の伝導タイプの内部ゾーン(2)が隣接しており、該内部ゾーン(2)に配置された少なくとも1つの第2の伝導タイプのフローティングガードリング(15)を有し、これらのフローティングガードリングの間に配置された第1の伝導タイプの少なくとも1つのリング間ゾーン(16)を有する、半導体構成素子の縁部領域(RB)における耐高圧縁部構造において、前記フローティングガードリング(15)及び/又は前記リング間ゾーン(16)の伝導率及び/又はジオメトリは、阻止電圧が印加されると前記フローティングガードリング(15)及び/又は前記リング間ゾーン(16)の電荷担体が完全に除去されるように調整されていることを特徴とする、半導体構成素子の縁部領域(RB)における耐高圧縁部構造。

IPC (2件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 652

FI (2件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 652 P

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-142184
特開昭59-110164
特開昭61-013664

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