特許
J-GLOBAL ID：200903046081924673
半導体装置の多層金属配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189845
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015594
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【目的】 金属スペーサを用いて金属配線の特性向上及びオーバラップマージンを改善できる多層金属配線の形成方法を提供する。【構成】 下層上に第1金属配線を形成する段階;前記第1金属配線を含む下層上に絶縁膜を形成する段階;前記絶縁膜をエッチングして前記第1金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階;前記コンタクト孔に前記第1金属配線とコンタクトする金属プラグを形成する段階;前記絶縁膜をエッチングする段階;前記絶縁膜上の金属プラグの側壁に金属スペーサを形成する段階;及び前記金属スペーサを介して前記金属プラグとコンタクトする第2金属配線を前記絶縁膜上に形成する段階を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
下層上に第1金属配線を形成する段階;前記第1金属配線を含む下層上に絶縁膜を形成する段階;前記絶縁膜をエッチングして前記第1金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階;前記コンタクト孔に前記第1金属配線とコンタクトする金属プラグを形成する段階;前記絶縁膜をエッチングする段階;前記絶縁膜上の金属プラグの側壁に金属スペーサを形成する段階;及び、前記金属スペーサを介して前記金属プラグとコンタクトする第2金属配線を前記絶縁膜上に形成する段階を含むことを特徴とする半導体装置の多層金属配線の形成方法。
引用特許：
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