特許
J-GLOBAL ID：200903046103077287
分布帰還型半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264879
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】新規の利得結合分布帰還型半導体レーザ構造により、吸収性回折格子が過飽和吸収特性を示さず、素子特性の再現性に優れている、格段に特性の優れたレーザを提供することを目的とする。【構成】周期的吸収層の価電子帯の電子が、伝導帯における自由電子が熱的に分布するエネルギーレベルよりも高いエネルギーへ、前記誘導放出光によって励起されるように、周期的光吸収層の材料が選択されている。
請求項（抜粋）：
活性層近傍に光分布帰還を与える周期構造を備え、該周期構造が、前記活性層から発生する誘導放出光に対する吸収係数が周期的に変化する、周期的吸収層である利得結合分布帰還型半導体レーザにおいて、前記誘導放出光のエネルギーhνと、前記周期的光吸収層の禁制帯幅Egが、下記式(I)を満たしてなることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置。【数1】
引用特許：
引用文献：
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