半導体レーザ装置及びその回折格子の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293001
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153934
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】新規の利得結合分布帰還型半導体レーザ構造により、過飽和吸収特性を示すことなく強い利得結合が得られ、従来の分布帰還型半導体レーザに比べて格段に特性の優れたレーザを提供することを目的とする。【構成】光吸収層が吸収飽和を起こさない程度まで光吸収層を活性層から離し、かつ、十分な利得結合が得られる程度にその厚さを設定する。

請求項（抜粋）：

活性層近傍に光分布帰還を施す周期構造を備え、該周期構造としては、該活性層の発生する誘導放出光に対する吸収係数が周期的に変化する構造を含む利得結合分布帰還型半導体レーザ装置において、該周期的吸収構造が吸収飽和を起こさない程度まで該周期的吸収構造を活性層から離して位置され、かつ、十分な利得結合定数が得られる程度にその厚さが設定されていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G02B 5/18

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体分布帰還型レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032207 出願人：光計測技術開発株式会社
特開昭62-173786
特開平2-052481

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