特許
J-GLOBAL ID：200903046105726240
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-257436
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210910
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 レーザ光のアスペクト比が大きく、キンクレベルが高く、かつ、光出力効率の変化の小さい半導体レーザを提供する。また、高温におけるしきい値電流の増加及び光出力効率の低下を防止した半導体レーザを提供する。【解決手段】 半導体レーザが、ガイド層とクラッド層との間に低屈折率層を含み、かつ、活性層とガイド層との総層厚を、発振波長の略15%以上とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に形成された活性層と、該活性層の両側に積層されたガイド層と、該ガイド層の両側に積層されたクラッド層と、を含む半導体レーザであって、該ガイド層と該クラッド層との間に、該クラッド層より屈折率の低い低屈折率層を含み、かつ、該活性層と該ガイド層との総層厚が、該半導体レーザの発振波長の略15%以上であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073EA15
, 5F073EA16
, 5F073EA17
, 5F073EA23
