特許

J-GLOBAL ID：200903046115279705

最適化された金属ヒューズの処理工程

発明者： メリッサ エム、ヒューソン ,  リッキー エイ、ジャクソン ,  アブハ シングー ,  トアン トラン ,  ハワード ティグラール
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364479
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203902
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 最適化された金属ヒューズの処理工程が提供される。【解決手段】 頂部相互接続体102の上に薄い(厚さが約6000オングストロームの)酸化物を用いた金属ヒューズ処理工程が提供される。酸化物108が検査のためにプローブ・パッド106の上から除去されるが、しかしヒューズ104の上からは除去されない。ヒューズ104の上側コーナにおいて酸化物108が薄いために、酸化物108はレーザ・パルス114の照射の期間中にヒューズ104の上でひび割れを起こす。その後、湿式エッチングを用いて露出したヒューズ104が溶解される。

請求項（抜粋）：

複数個のヒューズと複数個のプローブ・パッドとを備えた金属相互接続体層を半導体ボディの上に作成する段階と、複数個の前記ヒューズのコーナの上に厚さが0オングストロームないし1500オングストロームの範囲内にある第1酸化物層を前記金属相互接続体層の上に沈着する段階と、前記第1酸化物層と複数個の前記プローブ・パッドとの上に第2酸化物層を整合して沈着する段階と、少なくとも前記第2酸化物層の中にひび割れを作成するために複数個の前記ヒューズの選定された部分組に向けてレーザ・パルスを照射する段階と、ヒューズの選定された前記部分組を除去するために湿式エッチングを行う段階と、を有する集積回路を製造する方法。

Fターム (7件)：

5F064BB13 ,  5F064DD42 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF34 ,  5F064FF42 ,  5F064GG03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体集積回路装置とそれに用いられる配線プログラム素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-180633   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 集積回路の製造方法及び集積回路の製造に用いられる中間製品及び永久的に改造可能な集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-271186   出願人：株式会社東芝
• 特開昭64-005032
  
• 特開昭61-046047
  

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置とそれに用いられる配線プログラム素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-180633   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 集積回路の製造方法及び集積回路の製造に用いられる中間製品及び永久的に改造可能な集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-271186   出願人：株式会社東芝
• 特開昭64-005032
  
• 特開昭61-046047