特許

J-GLOBAL ID：200903046120177392

ダイヤモンド合成方法

発明者： 築野 孝 ,  今井 貴浩 ,  吉田 健太郎 ,  熊澤 佳明
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-167888
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】 面積が大きくかつ高品質なダイヤモンド膜を提供する。【解決手段】 炭素成分を含むプラズマ状態から基板11上にダイヤモンドを合成する方法であって、基板11の上方にフィラメント3を設ける。フィラメント3は、熱電子放出材料であるタングステンを含む。フィラメント3から離隔した位置に電極4を設ける。基板11の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的にフィラメント3に与え、かつフィラメント3の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的に電極4に与える。これにより、フィラメント3と基板11との間にプラズマを発生させ、かつフィラメント3から電極4へ電子を移動させてフィラメント3と電極4の間にプラズマを発生させる。

請求項（抜粋）：

炭素成分を含むガスから基板上にダイヤモンドを合成する方法であって、前記基板の上方に熱電子放出材料を含む電子放出体を設け、その電子放出体から離隔した位置に電極を設け、前記基板の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的に前記電子放出体に与え、かつ前記電子放出体の電位に対して相対的に高い電位を少なくとも一時的に前記電極に与えることにより、前記電子放出体と前記基板との間にプラズマを発生させ、かつ、前記電子放出体から前記電極へ電子を移動させて前記電極と前記電子放出体の間にプラズマを発生させることを特徴とする、ダイヤモンド合成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

C30B 29/04 B ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-232371
  
• 直流電界印加CVDによるダイヤモンド状炭素成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124797   出願人：株式会社石塚研究所, 黄燕清
• 特公平6-049635
  
• 気相法ダイヤモンドの合成法及び合成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-208021   出願人：昭和電工株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 結晶成長ハンドブック, 19950901, 初版, 340-341頁